Domov - Produkty - Výkonové polovodičové zariadenie - Zariadenie Sic - Podrobnosti

Sic Mosfet

SiC MOSFET má vyššiu spínaciu frekvenciu, veľmi nízke spínanie
straty, zlepšuje účinnosť premeny energie systému a
znižuje požiadavky tepelného cyklu na rozptyl tepla a
s riadiacim napätím kompatibilným s IGBT, plne ovládateľné dv/dt,
vysoké blokovacie napätie s nízkym odporom pri zapnutí, rýchla intrinsická dióda
s nízkou rekuperáciou, teplotne nezávislé vypínanie
straty, bez halogénov, v súlade s RoHS. Platí hlavne pre: FV invertor,
skladovanie energie, priemyselné napájanie, motorový pohon, nabíjacia hromada
a ďalšie oblasti.

Zaslať požiadavku

Popis

SiC MOSFET je tranzistor s efektom poľa na báze polovodičového materiálu z karbidu kremíka,

ktorý má výrazné zlepšenie výkonu v porovnaní s tradičnými kremíkovými MOSFET. ‌

Medzi hlavné výhody SiC MOSFET patria:

Vysoká pracovná frekvencia: Pracovná frekvencia SiC MOSFET je oveľa vyššia ako tradičná

kremíkové MOSFETy, môžu dosiahnuť 1 MHz alebo dokonca vyššie, čo robí napájací systém v

objem kondenzátora, induktora alebo transformátora sa môže znížiť, čím sa znížia náklady

napájací zdroj, aby sa dosiahla miniaturizácia a krása energie.

nízka impedancia: impedancia SiC MOSFET je nízka a minimálna vnútorná

odpor jednej trubice môže dosiahnuť niekoľko miliohmov, čo pomáha znižovať spotrebu

chladičov, ďalej znižuje objem a hmotnosť napájacieho zdroja a zlepšuje

účinnosť a spoľahlivosť napájacieho zdroja.

‌vysoké napätie ‌: SiC MOSFETy majú vysokonapäťový odpor, čo je obzvlášť dôležité

pre vysokotlakové aplikácie.

‌vysokoteplotná stabilita‌: vďaka svojim vysokoteplotným pracovným vlastnostiam, SiC MOSFET

výrazne zlepšuje stabilitu pri vysokej teplote, vhodný na prácu pri vysokých teplotách

prostredie.

Vysoká prevádzková teplota ‌ : Maximálna garantovaná prevádzková teplota

komerčné SiC MOSFET je 150 stupňov < Tj < 200 stupňov a teplota spoja môže dosiahnuť až

do 600 stupňov, vďaka čomu je SiC vhodný pre vysoké napätie, vysokú rýchlosť, vysoký prúd, vysokú teplotu,

aplikácie spínaného napájania.

Časť č.	Balíček	BVDSS(V)	ID(A)@Tc=25 stupeň	VGS(V)	RDS(zapnuté) (mΩ)typ	Tjmx (stupeň)	Qg(nC)
WSCM01KMA170T2C	DO-263USA-7L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM01KJ170T2C	TO-247-3L	1700	5	-5~15	720	175	13
WSCM160R120T2C	TO-247-4L	1200	17	-5~20	160	175	42
WSCM80MA120T2C	DO-263USA-7L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM80R120T2C	TO-247-4L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM032MA120T2C	DO-263USA-7L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM032R120T2C	TO-247-4L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM060LL65T2C	MÝTO	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM060R65T2C	TO-247-4L	650	30	-5~20	60	175	65
WSCM035J65T2C	TO-247-3L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035R65T2C	TO-247-4L	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM035LL65T2C	MÝTO	650	60	-5~18	35	175	70
WSCM032J120T2C	TO-247-3L	1200	60	-5~18	30	175	128
WSCM80J120T2C	TO-247-3L	1200	28	-5~20	80	175	85
WSCM01KEA170T2C	DO-3PF	1700	5	-5~15	720	175	13